RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Artikelnummer
RDN100N20FU6
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220FN
Effektförlust (max)
35W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
543pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45384 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RDN100N20FU6
RDN100N20FU6 Elektroniska komponenter
RDN100N20FU6 Försäljning
RDN100N20FU6 Leverantör
RDN100N20FU6 Distributör
RDN100N20FU6 Datatabell
RDN100N20FU6 Foton
RDN100N20FU6 Pris
RDN100N20FU6 Erbjudande
RDN100N20FU6 Lägsta pris
RDN100N20FU6 Sök
RDN100N20FU6 Köp av
RDN100N20FU6 Chip