RD3T100CNTL1
NCH 200V 10A POWER MOSFET
Artikelnummer
RD3T100CNTL1
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252
Effektförlust (max)
85W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37914 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RD3T100CNTL1
RD3T100CNTL1 Elektroniska komponenter
RD3T100CNTL1 Försäljning
RD3T100CNTL1 Leverantör
RD3T100CNTL1 Distributör
RD3T100CNTL1 Datatabell
RD3T100CNTL1 Foton
RD3T100CNTL1 Pris
RD3T100CNTL1 Erbjudande
RD3T100CNTL1 Lägsta pris
RD3T100CNTL1 Sök
RD3T100CNTL1 Köp av
RD3T100CNTL1 Chip