UPA2825T1S-E2-AT
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Artikelnummer
UPA2825T1S-E2-AT
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerWDFN
Leverantörsenhetspaket
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47697 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av UPA2825T1S-E2-AT
UPA2825T1S-E2-AT Elektroniska komponenter
UPA2825T1S-E2-AT Försäljning
UPA2825T1S-E2-AT Leverantör
UPA2825T1S-E2-AT Distributör
UPA2825T1S-E2-AT Datatabell
UPA2825T1S-E2-AT Foton
UPA2825T1S-E2-AT Pris
UPA2825T1S-E2-AT Erbjudande
UPA2825T1S-E2-AT Lägsta pris
UPA2825T1S-E2-AT Sök
UPA2825T1S-E2-AT Köp av
UPA2825T1S-E2-AT Chip