RQK0607AQDQS#H1
MOSFET N-CH
Artikelnummer
RQK0607AQDQS#H1
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-243AA
Leverantörsenhetspaket
UPAK
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14982 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RQK0607AQDQS#H1
RQK0607AQDQS#H1 Elektroniska komponenter
RQK0607AQDQS#H1 Försäljning
RQK0607AQDQS#H1 Leverantör
RQK0607AQDQS#H1 Distributör
RQK0607AQDQS#H1 Datatabell
RQK0607AQDQS#H1 Foton
RQK0607AQDQS#H1 Pris
RQK0607AQDQS#H1 Erbjudande
RQK0607AQDQS#H1 Lägsta pris
RQK0607AQDQS#H1 Sök
RQK0607AQDQS#H1 Köp av
RQK0607AQDQS#H1 Chip