RJK2009DPM-00#T0
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Artikelnummer
RJK2009DPM-00#T0
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3PFM, SC-93-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3PFM
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44906 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RJK2009DPM-00#T0
RJK2009DPM-00#T0 Elektroniska komponenter
RJK2009DPM-00#T0 Försäljning
RJK2009DPM-00#T0 Leverantör
RJK2009DPM-00#T0 Distributör
RJK2009DPM-00#T0 Datatabell
RJK2009DPM-00#T0 Foton
RJK2009DPM-00#T0 Pris
RJK2009DPM-00#T0 Erbjudande
RJK2009DPM-00#T0 Lägsta pris
RJK2009DPM-00#T0 Sök
RJK2009DPM-00#T0 Köp av
RJK2009DPM-00#T0 Chip