H5N2522LSTL-E
MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
Artikelnummer
H5N2522LSTL-E
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-83
Leverantörsenhetspaket
4-LDPAK
Effektförlust (max)
75W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32562 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av H5N2522LSTL-E
H5N2522LSTL-E Elektroniska komponenter
H5N2522LSTL-E Försäljning
H5N2522LSTL-E Leverantör
H5N2522LSTL-E Distributör
H5N2522LSTL-E Datatabell
H5N2522LSTL-E Foton
H5N2522LSTL-E Pris
H5N2522LSTL-E Erbjudande
H5N2522LSTL-E Lägsta pris
H5N2522LSTL-E Sök
H5N2522LSTL-E Köp av
H5N2522LSTL-E Chip