QJD1210SA2
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Artikelnummer
QJD1210SA2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
Module
Effekt - Max
415W
Leverantörsenhetspaket
Module
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 34mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
330nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8200pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26068 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av QJD1210SA2
QJD1210SA2 Elektroniska komponenter
QJD1210SA2 Försäljning
QJD1210SA2 Leverantör
QJD1210SA2 Distributör
QJD1210SA2 Datatabell
QJD1210SA2 Foton
QJD1210SA2 Pris
QJD1210SA2 Erbjudande
QJD1210SA2 Lägsta pris
QJD1210SA2 Sök
QJD1210SA2 Köp av
QJD1210SA2 Chip