FJ4B01110L1
CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
Artikelnummer
FJ4B01110L1
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-XFLGA, CSP
Leverantörsenhetspaket
ALGA004-W-0606-RA01
Effektförlust (max)
340mW (Ta)
FET typ
P-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
153 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 598µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
3.3nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
226pF @ 10V
Vgs (max)
±8V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13396 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FJ4B01110L1
FJ4B01110L1 Elektroniska komponenter
FJ4B01110L1 Försäljning
FJ4B01110L1 Leverantör
FJ4B01110L1 Distributör
FJ4B01110L1 Datatabell
FJ4B01110L1 Foton
FJ4B01110L1 Pris
FJ4B01110L1 Erbjudande
FJ4B01110L1 Lägsta pris
FJ4B01110L1 Sök
FJ4B01110L1 Köp av
FJ4B01110L1 Chip