Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NVR1P02T1G

NVR1P02T1G

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
Artikelnummer
NVR1P02T1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3
Effektförlust (max)
400mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
165pF @ 5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7271 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NVR1P02T1G
NVR1P02T1G Elektroniska komponenter
NVR1P02T1G Försäljning
NVR1P02T1G Leverantör
NVR1P02T1G Distributör
NVR1P02T1G Datatabell
NVR1P02T1G Foton
NVR1P02T1G Pris
NVR1P02T1G Erbjudande
NVR1P02T1G Lägsta pris
NVR1P02T1G Sök
NVR1P02T1G Köp av
NVR1P02T1G Chip