NVD6415ANT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Artikelnummer
NVD6415ANT4G
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6820 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NVD6415ANT4G
NVD6415ANT4G Elektroniska komponenter
NVD6415ANT4G Försäljning
NVD6415ANT4G Leverantör
NVD6415ANT4G Distributör
NVD6415ANT4G Datatabell
NVD6415ANT4G Foton
NVD6415ANT4G Pris
NVD6415ANT4G Erbjudande
NVD6415ANT4G Lägsta pris
NVD6415ANT4G Sök
NVD6415ANT4G Köp av
NVD6415ANT4G Chip