Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NVD5865NLT4G

NVD5865NLT4G

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Artikelnummer
NVD5865NLT4G
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta), 46A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49675 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NVD5865NLT4G
NVD5865NLT4G Elektroniska komponenter
NVD5865NLT4G Försäljning
NVD5865NLT4G Leverantör
NVD5865NLT4G Distributör
NVD5865NLT4G Datatabell
NVD5865NLT4G Foton
NVD5865NLT4G Pris
NVD5865NLT4G Erbjudande
NVD5865NLT4G Lägsta pris
NVD5865NLT4G Sök
NVD5865NLT4G Köp av
NVD5865NLT4G Chip