NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Artikelnummer
NVD5117PLT4G-VF01
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25380 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NVD5117PLT4G-VF01
NVD5117PLT4G-VF01 Elektroniska komponenter
NVD5117PLT4G-VF01 Försäljning
NVD5117PLT4G-VF01 Leverantör
NVD5117PLT4G-VF01 Distributör
NVD5117PLT4G-VF01 Datatabell
NVD5117PLT4G-VF01 Foton
NVD5117PLT4G-VF01 Pris
NVD5117PLT4G-VF01 Erbjudande
NVD5117PLT4G-VF01 Lägsta pris
NVD5117PLT4G-VF01 Sök
NVD5117PLT4G-VF01 Köp av
NVD5117PLT4G-VF01 Chip