Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NVD5807NT4G

NVD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Artikelnummer
NVD5807NT4G
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
33W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
603pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41080 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NVD5807NT4G
NVD5807NT4G Elektroniska komponenter
NVD5807NT4G Försäljning
NVD5807NT4G Leverantör
NVD5807NT4G Distributör
NVD5807NT4G Datatabell
NVD5807NT4G Foton
NVD5807NT4G Pris
NVD5807NT4G Erbjudande
NVD5807NT4G Lägsta pris
NVD5807NT4G Sök
NVD5807NT4G Köp av
NVD5807NT4G Chip