Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NVD5806NT4G

NVD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V DPAK
Artikelnummer
NVD5806NT4G
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52157 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NVD5806NT4G
NVD5806NT4G Elektroniska komponenter
NVD5806NT4G Försäljning
NVD5806NT4G Leverantör
NVD5806NT4G Distributör
NVD5806NT4G Datatabell
NVD5806NT4G Foton
NVD5806NT4G Pris
NVD5806NT4G Erbjudande
NVD5806NT4G Lägsta pris
NVD5806NT4G Sök
NVD5806NT4G Köp av
NVD5806NT4G Chip