NVB6412ANT4G
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Artikelnummer
NVB6412ANT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK-3
Effektförlust (max)
167W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18.2 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46971 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NVB6412ANT4G
NVB6412ANT4G Elektroniska komponenter
NVB6412ANT4G Försäljning
NVB6412ANT4G Leverantör
NVB6412ANT4G Distributör
NVB6412ANT4G Datatabell
NVB6412ANT4G Foton
NVB6412ANT4G Pris
NVB6412ANT4G Erbjudande
NVB6412ANT4G Lägsta pris
NVB6412ANT4G Sök
NVB6412ANT4G Köp av
NVB6412ANT4G Chip