NTS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
Artikelnummer
NTS2101PT1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-70, SOT-323
Leverantörsenhetspaket
SC-70-3 (SOT323)
Effektförlust (max)
290mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 8V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30840 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTS2101PT1G
NTS2101PT1G Elektroniska komponenter
NTS2101PT1G Försäljning
NTS2101PT1G Leverantör
NTS2101PT1G Distributör
NTS2101PT1G Datatabell
NTS2101PT1G Foton
NTS2101PT1G Pris
NTS2101PT1G Erbjudande
NTS2101PT1G Lägsta pris
NTS2101PT1G Sök
NTS2101PT1G Köp av
NTS2101PT1G Chip