Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Artikelnummer
NTJD1155LT1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Effekt - Max
400mW
Leverantörsenhetspaket
SC-88/SC70-6/SOT-363
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.3A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30145 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NTJD1155LT1G
NTJD1155LT1G Elektroniska komponenter
NTJD1155LT1G Försäljning
NTJD1155LT1G Leverantör
NTJD1155LT1G Distributör
NTJD1155LT1G Datatabell
NTJD1155LT1G Foton
NTJD1155LT1G Pris
NTJD1155LT1G Erbjudande
NTJD1155LT1G Lägsta pris
NTJD1155LT1G Sök
NTJD1155LT1G Köp av
NTJD1155LT1G Chip