NTHD4N02FT1G
MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Artikelnummer
NTHD4N02FT1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Leverantörsenhetspaket
ChipFET™
Effektförlust (max)
910mW (Tj)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Isolated)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.9A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13070 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTHD4N02FT1G
NTHD4N02FT1G Elektroniska komponenter
NTHD4N02FT1G Försäljning
NTHD4N02FT1G Leverantör
NTHD4N02FT1G Distributör
NTHD4N02FT1G Datatabell
NTHD4N02FT1G Foton
NTHD4N02FT1G Pris
NTHD4N02FT1G Erbjudande
NTHD4N02FT1G Lägsta pris
NTHD4N02FT1G Sök
NTHD4N02FT1G Köp av
NTHD4N02FT1G Chip