Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NTHD2110TT1G

NTHD2110TT1G

MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Artikelnummer
NTHD2110TT1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Leverantörsenhetspaket
ChipFET™
Effektförlust (max)
1.1W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1072pF @ 6V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23382 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G Elektroniska komponenter
NTHD2110TT1G Försäljning
NTHD2110TT1G Leverantör
NTHD2110TT1G Distributör
NTHD2110TT1G Datatabell
NTHD2110TT1G Foton
NTHD2110TT1G Pris
NTHD2110TT1G Erbjudande
NTHD2110TT1G Lägsta pris
NTHD2110TT1G Sök
NTHD2110TT1G Köp av
NTHD2110TT1G Chip