NTD60N02RT4G
MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
Artikelnummer
NTD60N02RT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25329 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTD60N02RT4G
NTD60N02RT4G Elektroniska komponenter
NTD60N02RT4G Försäljning
NTD60N02RT4G Leverantör
NTD60N02RT4G Distributör
NTD60N02RT4G Datatabell
NTD60N02RT4G Foton
NTD60N02RT4G Pris
NTD60N02RT4G Erbjudande
NTD60N02RT4G Lägsta pris
NTD60N02RT4G Sök
NTD60N02RT4G Köp av
NTD60N02RT4G Chip