NTD60N02R-1G
MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
Artikelnummer
NTD60N02R-1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14645 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTD60N02R-1G
NTD60N02R-1G Elektroniska komponenter
NTD60N02R-1G Försäljning
NTD60N02R-1G Leverantör
NTD60N02R-1G Distributör
NTD60N02R-1G Datatabell
NTD60N02R-1G Foton
NTD60N02R-1G Pris
NTD60N02R-1G Erbjudande
NTD60N02R-1G Lägsta pris
NTD60N02R-1G Sök
NTD60N02R-1G Köp av
NTD60N02R-1G Chip