Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NTD23N03RT4G

NTD23N03RT4G

MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
Artikelnummer
NTD23N03RT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
3.76nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42506 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NTD23N03RT4G
NTD23N03RT4G Elektroniska komponenter
NTD23N03RT4G Försäljning
NTD23N03RT4G Leverantör
NTD23N03RT4G Distributör
NTD23N03RT4G Datatabell
NTD23N03RT4G Foton
NTD23N03RT4G Pris
NTD23N03RT4G Erbjudande
NTD23N03RT4G Lägsta pris
NTD23N03RT4G Sök
NTD23N03RT4G Köp av
NTD23N03RT4G Chip