Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NTD20N03L27-1G

NTD20N03L27-1G

MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Artikelnummer
NTD20N03L27-1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
1.75W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18.9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1260pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6738 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NTD20N03L27-1G
NTD20N03L27-1G Elektroniska komponenter
NTD20N03L27-1G Försäljning
NTD20N03L27-1G Leverantör
NTD20N03L27-1G Distributör
NTD20N03L27-1G Datatabell
NTD20N03L27-1G Foton
NTD20N03L27-1G Pris
NTD20N03L27-1G Erbjudande
NTD20N03L27-1G Lägsta pris
NTD20N03L27-1G Sök
NTD20N03L27-1G Köp av
NTD20N03L27-1G Chip