Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NTB23N03RT4G

NTB23N03RT4G

MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
Artikelnummer
NTB23N03RT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
37.5W (Tj)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
3.76nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17183 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NTB23N03RT4G
NTB23N03RT4G Elektroniska komponenter
NTB23N03RT4G Försäljning
NTB23N03RT4G Leverantör
NTB23N03RT4G Distributör
NTB23N03RT4G Datatabell
NTB23N03RT4G Foton
NTB23N03RT4G Pris
NTB23N03RT4G Erbjudande
NTB23N03RT4G Lägsta pris
NTB23N03RT4G Sök
NTB23N03RT4G Köp av
NTB23N03RT4G Chip