köpa ON Semiconductor NDT01N60T1G MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Artikelnummer

NDT01N60T1G

Tillverkare/varumärke

ON Semiconductor

Serier

Sektionsstatus

Obsolete

Förpackning

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

TO-261-4, TO-261AA

Leverantörsenhetspaket

SOT-223 (TO-261)

Effektförlust (max)

2.5W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

600V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

400mA (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

8.5 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 50µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±30V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 28108 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter