NDD03N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V DPAK
Artikelnummer
NDD03N60ZT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
61W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
312pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8909 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NDD03N60ZT4G
NDD03N60ZT4G Elektroniska komponenter
NDD03N60ZT4G Försäljning
NDD03N60ZT4G Leverantör
NDD03N60ZT4G Distributör
NDD03N60ZT4G Datatabell
NDD03N60ZT4G Foton
NDD03N60ZT4G Pris
NDD03N60ZT4G Erbjudande
NDD03N60ZT4G Lägsta pris
NDD03N60ZT4G Sök
NDD03N60ZT4G Köp av
NDD03N60ZT4G Chip