NDD01N60T4G
MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
Artikelnummer
NDD01N60T4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
46W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43723 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NDD01N60T4G
NDD01N60T4G Elektroniska komponenter
NDD01N60T4G Försäljning
NDD01N60T4G Leverantör
NDD01N60T4G Distributör
NDD01N60T4G Datatabell
NDD01N60T4G Foton
NDD01N60T4G Pris
NDD01N60T4G Erbjudande
NDD01N60T4G Lägsta pris
NDD01N60T4G Sök
NDD01N60T4G Köp av
NDD01N60T4G Chip