MTD10N10ELT4
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Artikelnummer
MTD10N10ELT4
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
1.75W (Ta), 40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1040pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9825 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av MTD10N10ELT4
MTD10N10ELT4 Elektroniska komponenter
MTD10N10ELT4 Försäljning
MTD10N10ELT4 Leverantör
MTD10N10ELT4 Distributör
MTD10N10ELT4 Datatabell
MTD10N10ELT4 Foton
MTD10N10ELT4 Pris
MTD10N10ELT4 Erbjudande
MTD10N10ELT4 Lägsta pris
MTD10N10ELT4 Sök
MTD10N10ELT4 Köp av
MTD10N10ELT4 Chip