MTB50P03HDLT4G
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Artikelnummer
MTB50P03HDLT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47812 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av MTB50P03HDLT4G
MTB50P03HDLT4G Elektroniska komponenter
MTB50P03HDLT4G Försäljning
MTB50P03HDLT4G Leverantör
MTB50P03HDLT4G Distributör
MTB50P03HDLT4G Datatabell
MTB50P03HDLT4G Foton
MTB50P03HDLT4G Pris
MTB50P03HDLT4G Erbjudande
MTB50P03HDLT4G Lägsta pris
MTB50P03HDLT4G Sök
MTB50P03HDLT4G Köp av
MTB50P03HDLT4G Chip