MGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
Artikelnummer
MGSF1N02LT1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
400mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
750mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
125pF @ 5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45005 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av MGSF1N02LT1G
MGSF1N02LT1G Elektroniska komponenter
MGSF1N02LT1G Försäljning
MGSF1N02LT1G Leverantör
MGSF1N02LT1G Distributör
MGSF1N02LT1G Datatabell
MGSF1N02LT1G Foton
MGSF1N02LT1G Pris
MGSF1N02LT1G Erbjudande
MGSF1N02LT1G Lägsta pris
MGSF1N02LT1G Sök
MGSF1N02LT1G Köp av
MGSF1N02LT1G Chip