IRLM120ATF
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Artikelnummer
IRLM120ATF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223-4
Effektförlust (max)
2.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 1.15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24901 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLM120ATF
IRLM120ATF Elektroniska komponenter
IRLM120ATF Försäljning
IRLM120ATF Leverantör
IRLM120ATF Distributör
IRLM120ATF Datatabell
IRLM120ATF Foton
IRLM120ATF Pris
IRLM120ATF Erbjudande
IRLM120ATF Lägsta pris
IRLM120ATF Sök
IRLM120ATF Köp av
IRLM120ATF Chip