IRFM120ATF
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Artikelnummer
IRFM120ATF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223-4
Effektförlust (max)
2.4W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38226 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFM120ATF
IRFM120ATF Elektroniska komponenter
IRFM120ATF Försäljning
IRFM120ATF Leverantör
IRFM120ATF Distributör
IRFM120ATF Datatabell
IRFM120ATF Foton
IRFM120ATF Pris
IRFM120ATF Erbjudande
IRFM120ATF Lägsta pris
IRFM120ATF Sök
IRFM120ATF Köp av
IRFM120ATF Chip