Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
HUF76629D3

HUF76629D3

MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Artikelnummer
HUF76629D3
Tillverkare/varumärke
Serier
UltraFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251AA
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1285pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14650 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av HUF76629D3
HUF76629D3 Elektroniska komponenter
HUF76629D3 Försäljning
HUF76629D3 Leverantör
HUF76629D3 Distributör
HUF76629D3 Datatabell
HUF76629D3 Foton
HUF76629D3 Pris
HUF76629D3 Erbjudande
HUF76629D3 Lägsta pris
HUF76629D3 Sök
HUF76629D3 Köp av
HUF76629D3 Chip