Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
HUF75307T3ST

HUF75307T3ST

MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223
Artikelnummer
HUF75307T3ST
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223-4
Effektförlust (max)
1.1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38597 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av HUF75307T3ST
HUF75307T3ST Elektroniska komponenter
HUF75307T3ST Försäljning
HUF75307T3ST Leverantör
HUF75307T3ST Distributör
HUF75307T3ST Datatabell
HUF75307T3ST Foton
HUF75307T3ST Pris
HUF75307T3ST Erbjudande
HUF75307T3ST Lägsta pris
HUF75307T3ST Sök
HUF75307T3ST Köp av
HUF75307T3ST Chip