Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
HUF76619D3S

HUF76619D3S

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Artikelnummer
HUF76619D3S
Tillverkare/varumärke
Serier
UltraFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
75W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
767pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10970 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av HUF76619D3S
HUF76619D3S Elektroniska komponenter
HUF76619D3S Försäljning
HUF76619D3S Leverantör
HUF76619D3S Distributör
HUF76619D3S Datatabell
HUF76619D3S Foton
HUF76619D3S Pris
HUF76619D3S Erbjudande
HUF76619D3S Lägsta pris
HUF76619D3S Sök
HUF76619D3S Köp av
HUF76619D3S Chip