Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
HUF75829D3ST

HUF75829D3ST

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Artikelnummer
HUF75829D3ST
Tillverkare/varumärke
Serier
UltraFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31386 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av HUF75829D3ST
HUF75829D3ST Elektroniska komponenter
HUF75829D3ST Försäljning
HUF75829D3ST Leverantör
HUF75829D3ST Distributör
HUF75829D3ST Datatabell
HUF75829D3ST Foton
HUF75829D3ST Pris
HUF75829D3ST Erbjudande
HUF75829D3ST Lägsta pris
HUF75829D3ST Sök
HUF75829D3ST Köp av
HUF75829D3ST Chip