Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
HUF75829D3

HUF75829D3

MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Artikelnummer
HUF75829D3
Tillverkare/varumärke
Serier
UltraFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251AA
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9950 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av HUF75829D3
HUF75829D3 Elektroniska komponenter
HUF75829D3 Försäljning
HUF75829D3 Leverantör
HUF75829D3 Distributör
HUF75829D3 Datatabell
HUF75829D3 Foton
HUF75829D3 Pris
HUF75829D3 Erbjudande
HUF75829D3 Lägsta pris
HUF75829D3 Sök
HUF75829D3 Köp av
HUF75829D3 Chip