Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
HUF75631S3S

HUF75631S3S

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Artikelnummer
HUF75631S3S
Tillverkare/varumärke
Serier
UltraFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
120W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
79nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1220pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21474 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av HUF75631S3S
HUF75631S3S Elektroniska komponenter
HUF75631S3S Försäljning
HUF75631S3S Leverantör
HUF75631S3S Distributör
HUF75631S3S Datatabell
HUF75631S3S Foton
HUF75631S3S Pris
HUF75631S3S Erbjudande
HUF75631S3S Lägsta pris
HUF75631S3S Sök
HUF75631S3S Köp av
HUF75631S3S Chip