Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
HUF75329D3S

HUF75329D3S

MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Artikelnummer
HUF75329D3S
Tillverkare/varumärke
Serier
UltraFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
128W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51283 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av HUF75329D3S
HUF75329D3S Elektroniska komponenter
HUF75329D3S Försäljning
HUF75329D3S Leverantör
HUF75329D3S Distributör
HUF75329D3S Datatabell
HUF75329D3S Foton
HUF75329D3S Pris
HUF75329D3S Erbjudande
HUF75329D3S Lägsta pris
HUF75329D3S Sök
HUF75329D3S Köp av
HUF75329D3S Chip