FQU5N50TU
MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK
Artikelnummer
FQU5N50TU
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28971 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQU5N50TU
FQU5N50TU Elektroniska komponenter
FQU5N50TU Försäljning
FQU5N50TU Leverantör
FQU5N50TU Distributör
FQU5N50TU Datatabell
FQU5N50TU Foton
FQU5N50TU Pris
FQU5N50TU Erbjudande
FQU5N50TU Lägsta pris
FQU5N50TU Sök
FQU5N50TU Köp av
FQU5N50TU Chip