Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQP32N20C_F080

FQP32N20C_F080

MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
Artikelnummer
FQP32N20C_F080
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
82 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44242 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQP32N20C_F080
FQP32N20C_F080 Elektroniska komponenter
FQP32N20C_F080 Försäljning
FQP32N20C_F080 Leverantör
FQP32N20C_F080 Distributör
FQP32N20C_F080 Datatabell
FQP32N20C_F080 Foton
FQP32N20C_F080 Pris
FQP32N20C_F080 Erbjudande
FQP32N20C_F080 Lägsta pris
FQP32N20C_F080 Sök
FQP32N20C_F080 Köp av
FQP32N20C_F080 Chip