Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQI50N06LTU

FQI50N06LTU

MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Artikelnummer
FQI50N06LTU
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK (TO-262)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 121W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 26.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19657 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQI50N06LTU
FQI50N06LTU Elektroniska komponenter
FQI50N06LTU Försäljning
FQI50N06LTU Leverantör
FQI50N06LTU Distributör
FQI50N06LTU Datatabell
FQI50N06LTU Foton
FQI50N06LTU Pris
FQI50N06LTU Erbjudande
FQI50N06LTU Lägsta pris
FQI50N06LTU Sök
FQI50N06LTU Köp av
FQI50N06LTU Chip