Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQI12N50TU

FQI12N50TU

MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
Artikelnummer
FQI12N50TU
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK (TO-262)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 179W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
490 mOhm @ 6.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2020pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35290 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQI12N50TU
FQI12N50TU Elektroniska komponenter
FQI12N50TU Försäljning
FQI12N50TU Leverantör
FQI12N50TU Distributör
FQI12N50TU Datatabell
FQI12N50TU Foton
FQI12N50TU Pris
FQI12N50TU Erbjudande
FQI12N50TU Lägsta pris
FQI12N50TU Sök
FQI12N50TU Köp av
FQI12N50TU Chip