FQD4N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
Artikelnummer
FQD4N20LTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.35 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31655 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQD4N20LTM
FQD4N20LTM Elektroniska komponenter
FQD4N20LTM Försäljning
FQD4N20LTM Leverantör
FQD4N20LTM Distributör
FQD4N20LTM Datatabell
FQD4N20LTM Foton
FQD4N20LTM Pris
FQD4N20LTM Erbjudande
FQD4N20LTM Lägsta pris
FQD4N20LTM Sök
FQD4N20LTM Köp av
FQD4N20LTM Chip