FQD30N06TM
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
Artikelnummer
FQD30N06TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
945pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40578 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQD30N06TM
FQD30N06TM Elektroniska komponenter
FQD30N06TM Försäljning
FQD30N06TM Leverantör
FQD30N06TM Distributör
FQD30N06TM Datatabell
FQD30N06TM Foton
FQD30N06TM Pris
FQD30N06TM Erbjudande
FQD30N06TM Lägsta pris
FQD30N06TM Sök
FQD30N06TM Köp av
FQD30N06TM Chip