FQD2N80TF
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Artikelnummer
FQD2N80TF
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9458 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQD2N80TF
FQD2N80TF Elektroniska komponenter
FQD2N80TF Försäljning
FQD2N80TF Leverantör
FQD2N80TF Distributör
FQD2N80TF Datatabell
FQD2N80TF Foton
FQD2N80TF Pris
FQD2N80TF Erbjudande
FQD2N80TF Lägsta pris
FQD2N80TF Sök
FQD2N80TF Köp av
FQD2N80TF Chip