FQD20N06LETM
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Artikelnummer
FQD20N06LETM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
665pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48173 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQD20N06LETM
FQD20N06LETM Elektroniska komponenter
FQD20N06LETM Försäljning
FQD20N06LETM Leverantör
FQD20N06LETM Distributör
FQD20N06LETM Datatabell
FQD20N06LETM Foton
FQD20N06LETM Pris
FQD20N06LETM Erbjudande
FQD20N06LETM Lägsta pris
FQD20N06LETM Sök
FQD20N06LETM Köp av
FQD20N06LETM Chip