FQD19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Artikelnummer
FQD19N10LTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29717 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQD19N10LTM
FQD19N10LTM Elektroniska komponenter
FQD19N10LTM Försäljning
FQD19N10LTM Leverantör
FQD19N10LTM Distributör
FQD19N10LTM Datatabell
FQD19N10LTM Foton
FQD19N10LTM Pris
FQD19N10LTM Erbjudande
FQD19N10LTM Lägsta pris
FQD19N10LTM Sök
FQD19N10LTM Köp av
FQD19N10LTM Chip