FQD10N20LTF
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Artikelnummer
FQD10N20LTF
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20102 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQD10N20LTF
FQD10N20LTF Elektroniska komponenter
FQD10N20LTF Försäljning
FQD10N20LTF Leverantör
FQD10N20LTF Distributör
FQD10N20LTF Datatabell
FQD10N20LTF Foton
FQD10N20LTF Pris
FQD10N20LTF Erbjudande
FQD10N20LTF Lägsta pris
FQD10N20LTF Sök
FQD10N20LTF Köp av
FQD10N20LTF Chip