FQB8N25TM
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
Artikelnummer
FQB8N25TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 87W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45648 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB8N25TM
FQB8N25TM Elektroniska komponenter
FQB8N25TM Försäljning
FQB8N25TM Leverantör
FQB8N25TM Distributör
FQB8N25TM Datatabell
FQB8N25TM Foton
FQB8N25TM Pris
FQB8N25TM Erbjudande
FQB8N25TM Lägsta pris
FQB8N25TM Sök
FQB8N25TM Köp av
FQB8N25TM Chip